Lue uutinen mobiilisivustolla

Äärimmäinen UV-valo pitää Mooren lakia yllä

28.6.2002 15:29 Puolijohdeteollisuus on vaihtamassa yleisintä mittariaan. Tähän asti siruteollisuus on mitannut piikiekoille etsattuja viivoja mikroneissa eli mikrometreissä. Nyt mikronista on tulossa liian kömpelö mittari, sillä tuotantolinjoilta valmistuvien sirujen johdinviivojen leveys on laskenut 0,1 mikroniin. Oikeastaan viivaleveys on 0,09 mikronia ja tämän ilmaisemiseen kätevämpi mittari on nanometri. Viivanleveys on siis 90 nanometriä.

Mikroni on metrin miljoonasosa ja nanometri sen miljardisosa. Inhimillisessä mittakaavassa näitä mittoja on vaikea hahmottaa. Yhden hiuksen levyisille alueelle voidaan 90 nanometrin levyisiä viivoja laittaa vieriviereen yli miljoona kappaletta.

Intelin rakenteilla olevan Irlannin uuden piikiekkotehtaan Fab24:n johtaja Josh Waldenin mukaan sirujen tiheyden kasvu ei osoita pysähtymisen merkkejä vielä ainakaan kolmeen sukupolveen. Hän pitää kiinni tunnetusta Mooren huomiosta, jonka mukaan transistorien lukumäärä sirulla kaksinkertaistuu 18 kuukauden välein ja samalla sirujen suoritusteho tuplaantuu.

Lyhyempää valoa

Yhä useampien transistoreiden ahtaminen yhä lähemmäs toisiaan kohtaa monenlaisia haasteita. Yksi niistä on kysymys siitä, millä tavalla näitä äärimmäisen pieniä viivoja voidaan ylipäätään piirtää näin tarkasti.

Näkyvän valon allonpituus on jo käynyt liian pitkäksi, sen avulla tehty piikiekon valoherkän kalvon valottaminen tuottaa liian leveitä viivoja. Tässä kohti turvaudutaan silmälle näkymättömään laservaloon. Rakenteilla olevat litografialaitteet käyttävät valoa, jota kutsutaan äärimmäiseksi ultravioletiksi. Siitä käytettävä lyhenne EUV tulee englanninkielisistä sanois extreme ultra violet. Sen aallonpituus on 13,4 nanometriä.

Sirulle miljardi transistoria

Valoherkäksi käsitellyn piiaihion pinnalle valotetaan laservalolla sirun johdinviivat, jotka sitten syövytetään uriksi joihin johtava metalliseos laitetaan. Suolakiteen yhdelle sivulle, jonka leveys on noin neljännesmillin, mahtuu 3600 70 nanometrin levyistä viivaa. Intel aikoo saada menetelmän volyymituotantoon vuoden 2005 jälkeen.

Walden sanoo Intelin ennustavan uuden litografiamenetelmän pystyvän 65 nanometrin viivanleveyteen vuonna 2005 ja 45 nanometriin vuonna 2007. Silloin yhdelle sirulle on tarkoitus mahduttaa miljardi transistoria. Nykyisella Pentium 4 -sirulla on 54 miljoonaa ja uudella Itanium-sirulla 220 miljoonaa transistoria.

Timo Poropudas
timo.poropudas@sanoma.fi

Kirjoita kommentti

Ohjeet: Pysy aiheessa ja kirjoita napakasti. Muista, että haastateltavilla, kanssakeskustelijoilla ja toimittajilla on oikeus omaan, eriävään mielipiteeseen. Ole kohtelias ja ystävällinen, äläkä tarkoituksella provosoi tai hauku muita keskustelijoita. Taloussanomat varaa oikeuden poistaa asiattomat viestit. Varauduthan siihen, että linkkejä sisältävät viestit tarkistetaan yksitellen roskapostin suodattamiseksi. Arvostamme mielipidettäsi!
Lue koko keskusteluetiketti

Bottivarmistus: mitä on kaksi ynnä viisi?

Viesti Nimi

Uutiset

Yksi kuollut ja yhdeksän haavoittunut ammuskelussa Hyvinkäällä

• Intian rikkain perhe avasi kohukotinsa ovet Vanity Fairille
• Pitkämäen keihään vahingoittama Sdiri vie IAAF:n oikeuteen
• Afrikkalaisten maahanmuutto kiristää tunnelmia Tel Avivissa
• Tasmanian tuholaista pelastetaan sukupuutolta